[11a-B1-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

[11a-B1-5] (-201) Ga₂O₃基板上へのAlN薄膜のRF-MBE成長

〇東脇 正高¹、中田 義昭¹、倉又 朗人²、山腰 茂伸² (1.情通研機構, 2.タムラ製作所)

キーワード：酸化ガリウム、窒化アルミニウム、分子線エピタキシー