[11a-B1-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

[11a-B1-8] PSD法により成長したp型GaNに対する接触抵抗の評価

〇野口 英成¹、荒川 靖章¹、上野 耕平¹、太田 実雄¹、藤岡 洋^{1, 2, 3} (1.東大生研, 2.JST-CREST, 3.JST-ACCEL)

キーワード：窒化ガリウム、スパッタリング