[11a-D1-1~8] 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[11a-D1-8] ESRを用いたIGZO薄膜の評価

〇野中 裕介¹、黒澤 陽一¹、小松 良寛¹、石原 典隆¹、太田 将志¹、中島 基¹、廣橋 拓也¹、高橋 正弘¹、生内 俊光²、保坂 泰靖²、肥塚 純一²、山﨑 舜平¹ (1.半エネ研, 2.AFD Inc.)

キーワード：電子スピン共鳴、IGZO、導電率