[11a-D9-1~11] 6.5 表面物理・真空

[11a-D9-1] GaN系半導体を用いたNEA半導体フォトカソードの開発

〇佐藤 大樹¹、西谷 智博³、本田 善央¹、天野 浩^{1, 2} (1.名大院工, 2.名大ARC, 3.名大SRC)

キーワード：GaN、NEA、フォトカソード