[11p-A21-1~12] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[11p-A21-12] リセスゲート促進障壁層AlGaN/GaN 非対称Open-Gate HFETの高温特性

〇前田 就彦^{1, 2}、廣木 正伸²、佐々木 智²、原田 裕一² (1.東京工科大, 2.NTT研究所)

キーワード：窒化物半導体、トランジスタ、高温特性