[11p-A21-1~12] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[11p-A21-5] 中性粒子ビームエッチングとプラズマエッチングにおけるAlGaNのエッチング表面状態の比較

〇李 昌勇¹、肥後 昭男²、Thomas Cédric¹、新村 忠³、寒川 誠二^{1, 2, 4} (1.東北大流体研, 2.東北大学WPI-AIMR, 3.東芝生産技術センター, 4.JST-CREST)

キーワード：中性粒子ビームエッチング、AlGaN