[11p-A21-1~12] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[11p-A21-6] 中性粒子ビームによるAlGaN/GaN HEMTリセスゲート構造の作製

〇李 昌勇¹、肥後 昭男²、太田 実雄³、藤岡 洋^{3, 4}、寒川 誠二^{1, 2, 4} (1.東北大流体研, 2.東北大学WPI-AIMR, 3.東京大学生産研, 4.JST-CREST)

キーワード：中性粒子ビームエッチング