[11p-A23-1~13] 13.5 デバイス／集積化技術

[11p-A23-5] 低濃度リンドープによるドーパント原子MOSFET

〇高須 友貴¹、ダニエル モラル²、水野 武志¹、田部 道晴¹ (1.静大電研, 2.静大院工)

キーワード：シリコン、MOSFET、ドーパント