[11p-B1-1~20] 15.4 III-V族窒化物結晶

[11p-B1-17] Eu, Mg共添加GaNのEu濃度が発光サイトに及ぼす影響

〇(M1)鎌田 拓歩¹、関口 寛人¹、山根 啓輔¹、岡田 浩^{1, 2}、若原 昭浩¹ (1.豊橋技科大, 2.エレクトロニクス先端融合研究所(EIIRIS))

キーワード：希土類添加半導体、GaN、Eu