[11p-B1-1~20] 15.4 III-V族窒化物結晶

[11p-B1-19] 自立GaN基板上m面Al_1-xIn_xN エピタキシャル薄膜の発光特性(III)

〇小島 一信¹、池田 宏隆²、藤戸 健史²、秩父 重英¹ (1.東北大多元研, 2.三菱化学(株))

キーワード：AlInN