[11p-B1-1~20] 15.4 III-V族窒化物結晶

[11p-B1-5] ハイドライド気相成長法を用いて堆積させたSiNx中間層上への厚膜GaN成長

〇稲垣 卓志¹、岡村 泰仁¹、山根 啓輔²、岡田 成仁¹、只友 一行¹ (1.山口大院理工, 2.豊橋技術科学大)

キーワード：ガリウムナイトライド、ハイドライド気相成長法、転位