[11p-B1-1~20] 15.4 III-V族窒化物結晶

[11p-B1-8] 高Ga組成Naフラックス法における結晶表面モルフォロジーの炭素濃度依存性

〇小川 翔悟¹、今西 正幸¹、轟 夕摩¹、村上 航介¹、今林 弘毅¹、松尾 大輔¹、高澤 秀生¹、丸山 美帆子¹、今出 完¹、吉村 政志¹、森 勇介¹ (1.阪大工)

キーワード：窒化ガリウム、Naフラックス