[11p-C1-1~17] 6.2 カーボン系薄膜

[11p-C1-14] リンドナーによるダイヤモンド NV 中心の電荷状態制御

〇土井 悠生¹、福井 貴大¹、加藤 宙光^{2, 3}、牧野 俊晴^{2, 3}、山崎 聡^{2, 3}、田嶌 俊之¹、森下 弘樹¹、三輪 真嗣¹、Jelezko Fedor⁴、鈴木 義茂¹、水落 憲和^{1, 3} (1.阪大基礎工, 2.産総研, 3.CREST, 4.ウルム大)

キーワード：NV中心、n型ダイヤモンド、電荷状態