[11p-C1-1~17] 6.2 カーボン系薄膜

△ [11p-C1-7] 格子状核発生領域を用いたダイヤモンドのヘテロエピタキシャル成長

〇市川 公善¹、児玉 英之¹、鈴木 一博²、澤邊 厚仁¹ (1.青学大理工, 2.トウプラスエンジニアリング)

キーワード：ダイヤモンド、結晶成長、転位