2015年第62回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス » 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[11p-D1-1~17] 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

2015年3月11日(水) 13:15 〜 17:45 D1 (16-101)

16:15 〜 16:30

[11p-D1-12] アモルファスInWO TFTの微量Zn添加効果

〇(P)木津 たきお1、宮永 美紀2、粟田 英章2、生田目 俊秀1、塚越 一仁1 (1.物材機構, 2.住友電気工業)

キーワード：酸化物半導体、薄膜トランジスタ、低温プロセス