2015年第62回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

合同セッションK ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス » 合同セッションK ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[11p-D1-1~17] 合同セッションK ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

2015年3月11日(水) 13:15 〜 17:45 D1 (16-101)

17:30 〜 17:45

[11p-D1-17] Low temperature excimer laser annealing of a-InGaZnO thin-film transistors passivated by hybrid organic-inorganic passivation layer

〇(D)Juan Paolo Bermundo1, Yasuaki Ishikawa1, Mami Fujii1, Michiel van der Zwan2, Hiroshi Ikenoue3, Ryoichi Ishihara2, Toshiaki Nonaka4, Yukiharu Uraoka1 (1.Nara Inst. of Sci. and Tech., 2.Delft Univ. of Tech., 3.Kyushu Univ., 4.AZ Elect. Mat.)

キーワード:Excimer laser annealing,amorphous InGaZnO,hybrid passivation layer