[11p-D1-1~17] 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[11p-D1-3] 窒素添加InGaZnO膜の熱処理に対する電気特性評価

〇中野 慎太郎¹、前田 雄也¹、大黒 達也²、百瀬 寿代²、諸岡 哲²、神例 信貴³、鈴木 幸治⁴ (1.（株）東芝　研究開発センター, 2.（株）東芝　セミコンダクター＆ストレージ社, 3.（株）東芝　生産技術センター, 4.東芝リサーチコンサルティング（株）)

キーワード：InGaZnO、薄膜トランジスタ、窒素添加