[11p-P2-1~15] 15.6 IV族系化合物

△ [11p-P2-15] SAB法による4H-SiC/Si HBT構造における少数キャリア注入特性

〇(B)清水 彩絵¹、西田 将太¹、梁 剣波¹、森本 雅史¹、重川 直輝¹、新井 学² (1.大阪市大工, 2.新日本無線(株))

キーワード：SiC、HBT、表面活性化接合