[12a-A20-1~10] 9.2 ナノワイヤ・ナノ粒子

[12a-A20-9] InAsおよびInPナノワイヤFETにおけるポストアニーリング効果の電極材料依存性

〇芦川 耶眞登^{1, 2}、Guoqiang Zhang¹、舘野 功太¹、原田 裕一¹、齊藤 志郎¹、藤原 聡¹、村木 康二¹、佐々木 智^{1, 2} (1.NTT物性基礎研, 2.東北大理)

キーワード：ナノワイヤ、電界効果トランジスタ、InAs