[12a-A21-1~13] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[12a-A21-12] AlGaN/GaN HEMT構造への凹凸AlGaN層導入によるコンタクト抵抗の低減

〇武井 優典¹、下田 智裕¹、筒井 一生¹、齋藤 渉²、角嶋 邦之¹、若林 整¹、片岡 好則¹、岩井 洋¹ (1.東工大, 2.東芝 ｾﾐｺﾝﾀﾞｸﾀｰ&ｽﾄﾚｰｼﾞ社)

キーワード：AlGaN、凹凸構造、オーミックコンタクト