[12a-A21-1~13] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[12a-A21-13] δドープGaNキャップ/AlGaN/GaN構造のオーミックコンタクト抵抗

〇(B)加藤 直樹¹、安藤 彰浩¹、分島 彰男¹、江川 孝志¹、長田 大和²、上村 隆一郎² (1.名工大, 2.アルバック)

キーワード：窒化ガリウム、高電子移動度トランジスタ