[12a-A21-1~13] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[12a-A21-2] 金属ゲート電極材料のAlGaN/GaN HEMT のリーク電流への影響

〇大賀 一樹¹、川那子 高暢²、角嶋 邦之²、片岡 好則²、西山 彰²、杉井 信之²、若林 整²、筒井 一生²、名取 研二¹、岩井 洋¹ (1.東工大フロンティア研, 2.東工大総理工)

キーワード：AlGaN/GaN、ショットキー