[12a-A27-1~9] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[12a-A27-2] NO₂を用いたSi系材料の低速ケミカルドライエッチング中の表面反応

〇田嶋 聡美¹、林 俊雄¹、石川 健治¹、関根 誠¹、堀 勝¹ (1.名大院工)

キーワード：ケミカルドライエッチング