2015年第62回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[12a-A27-1~9] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

2015年3月12日(木) 10:00 〜 12:30 A27 (6A-202)

10:15 〜 10:30

[12a-A27-2] NO2を用いたSi系材料の低速ケミカルドライエッチング中の表面反応

〇田嶋 聡美1、林 俊雄1、石川 健治1、関根 誠1、堀 勝1 (1.名大院工)

キーワード:ケミカルドライエッチング