[12a-A27-1~9] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[12a-A27-8] 非線形誘電率顕微鏡法による低濃度ドーパントプロファイル評価

〇広田 潤¹、鷹野 正宗¹、竹野 史郎¹、赤堀 浩史¹、茅根 慎通²、長 康雄² (1.東芝S＆S社, 2.東北大通研)

キーワード：半導体、走査型非線形誘電率顕微鏡、不純物