[12a-A29-1~11] 13.4 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

[12a-A29-11] 積層チャネル3D-IC向け極薄Body Poly-Ge p-&n-MISFETsを用いたCMOSインバーターとリング発振器の作製および動作実証

〇鎌田 善己¹、小池 正浩¹、黒澤 悦男¹、黒澤 昌志^{2, 3}、太田 裕之¹、中塚 理²、財満 鎭明²、手塚 勉¹ (1.産総研GNC, 2.名大院工, 3.学振)

キーワード：ゲルマニウム、多結晶、CMOS