[12a-B1-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

[12a-B1-12] Ｖピット上に形成されたポテンシャルバリアを有するInGaN系発光ダイオードの電気的特性

〇杉本 浩平¹、岡田 成人¹、山田 陽一¹、只友 一行¹ (1.山口大院理工)

キーワード：半導体、発光ダイオード、超格子