[12a-B1-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

[12a-B1-7] MOVPE法によるn⁺-p構造 In_xGa_1-xN(x~0.3)光起電力素子の作製

〇(PC)児玉 和樹¹、野村 裕之^{1, 2}、重川 直輝³、山本 暠勇^{1, 2}、葛原 正明¹ (1.福井大, 2.JST-CREST, 3.大阪市立大)

キーワード：InGaN、MOVPE、ホモ接合