[12a-B4-1~10] 15.6 IV族系化合物

△ [12a-B4-10] 超高次非線形誘電率顕微鏡法を用いた交流バイアス印加によるSiC-DMOSFET断面におけるキャリア分布のゲート電圧依存性の解析

〇茅根 慎通¹、長 康雄¹ (1.東北大)

キーワード：SiCパワーデバイス、走査型非線形誘電率顕微鏡法、デバイス評価