[12a-B4-1~10] 15.6 IV族系化合物

[12a-B4-3] 横型CVD装置を用いたSiCエピ膜成長における界面転位の発生と抑制

〇工藤 千秋^{1, 2}、升本 恵子^{1, 5}、浅水 啓州^{1, 3}、田村 謙太郎^{1, 3}、西尾 譲司^{1, 4}、児島 一聡^{1, 5}、大野 俊之^{1, 6} (1.FUPET, 2.パナソニック, 3.ローム, 4.東芝, 5.産総研, 6.日立)

キーワード：炭化珪素、エピタキシャル、界面転位