[12a-D1-1~12] 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

△ [12a-D1-3] MOCVD法を用いて成長したNドープZnO膜のアニール効果

〇中浦 拓也^{1, 3}、原田 善之³、王 剣宇¹、長田 貴弘¹、関口 隆史¹、知京 豊裕¹、鈴木 摂²、石垣 隆正³、角谷 正友¹ (1.NIMS., 2.COMMET, 3.法政大)

キーワード：ZnO、MOCVD、Nドープ