[12a-D1-1~12] 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[12a-D1-7] UHVスパッタ法により成長したZnO層の大気アニール処理

〇(M1)松久 健司¹、佐久間 大樹¹、三好 佑弥¹、水野 愛¹、篠田 宏之¹、六倉 信喜¹ (1.東京電機大工)

キーワード：ZnO、酸化物半導体、スパッタリング