[12a-D10-1~10] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [12a-D10-5] 2元スパッタリング法で作製したInSiO系チャネル材料の電気特性

〇(M1)栗島 一徳^{1, 2}、生田目 俊秀²、三苫 伸彦²、木津 たきお²、塚越 一仁²、澤田 朋実²、大井 暁彦²、山本 逸平^{2, 3}、大石 知司³、知京 豊裕²、小椋 厚志¹ (1.明治大, 2.物材機構 WPI-MANA, 3.芝浦工大)

キーワード：2元スパッタリング、インジウム、InSiO