[12a-D5-1~8] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[12a-D5-4] Arイオン注入法を用いた圧縮歪みSi/緩和Si_1-xC_xヘテロ構造の作製

〇有澤 洋¹、星 裕介¹、藤原 幸亮²、山中 淳二²、有元 圭介²、中川 清和²、澤野 憲太郎³、宇佐美 徳隆¹ (1.名大院工, 2.山梨大クリスタル研, 3.都市大総研)

キーワード：圧縮歪みSi、シリコンカーボン膜、イオン注入