[12a-P13-1~11] 13.5 デバイス／集積化技術

[12a-P13-5] 引張りひずみSi-on-Insulator (sSOI) 上に形成された圧縮ひずみ Si_0.1Ge_0.9 チャネルpMOSFET における移動度とSS 値の向上

〇池田 圭司¹、守山 佳彦¹、入沢 寿史¹、小野 瑞城¹、上牟田 雄一¹、小田 穣¹、宮木 智則¹、黒澤 悦男¹、手塚 勉¹ (1.産総研GNC)

キーワード：ひずみSiGe、ひずみGe、ひずみSOI