[12a-P13-1~11] 13.5 デバイス／集積化技術

[12a-P13-9] Si単電子トランジスタにおける電界によるドット内準位の変化

〇佐藤 光¹、内田 貴史¹、吉岡 勇¹、福地 厚¹、有田 正志¹、藤原 聡²、高橋 庸夫¹ (1.北大院情報, 2.NTT物性基礎研)

キーワード：単電子トランジスタ