[12p-A1-1~13] 11.2 薄膜，厚膜，テープ作製プロセスおよび結晶成長

[12p-A1-8] 格子不整合性界面における中間層の結晶配向のメカニズム(Ⅱ)

〇一瀬 中^{1, 3}、中 順平²、内間 貴之²、堀井 滋^{2, 3}、土井 俊哉^{2, 3} (1.電中研, 2.京大院エネ科, 3.JST-ALCA)

キーワード：コーテッドコンダクター、ＣＳＺバッファー層、結晶配向