[12p-A16-1~13] 3.15 シリコンフォトニクス

[12p-A16-10] Si細線上へのInP系埋込みヘテロ構造の集積

〇藤井 拓郎^{1, 2}、武田 浩司^{1, 2}、西 英隆^{1, 2}、長谷部 浩一^{1, 2}、硴塚 孝明^{1, 2}、山本 剛¹、山田 浩治^{1, 2}、松尾 慎治^{1, 2} (1.NTT先端集積デバイス研, 2.ナノフォトニクスセンタ)

キーワード：エピタキシャル成長、ウェハ直接接合、シリコンフォトニクス