[12p-A21-1~13] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[12p-A21-1] 超格子キャップ層を用いたAlGaN/GaN MOSFET

〇按田 義治¹、塩崎 奈々子¹、根来 昇¹、中澤 敏志¹、鶴見 直大¹、石田 昌宏¹、上田 哲三¹ (1.パナソニック)

キーワード：窒化ガリウム