[12p-A21-1~13] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [12p-A21-10] AlGaN/GaN HEMTにおけるオフ状態ストレス後の表面帯電評価

〇西口 賢弥¹、橋詰 保^{1, 2} (1.北大量集センター, 2.JST-CREST)

キーワード：窒化ガリウム、電流コラプス、高電子移動度トランジスタ