[12p-A21-1~13] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[12p-A21-2] 選択再成長を用いたノーマリオフAlGaN/GaN MOSFET

〇中澤 敏志¹、塩崎 奈々子¹、根来 昇¹、鶴見 直大¹、按田 義治¹、石田 昌宏¹、上田 哲三¹ (1.パナソニック)

キーワード：窒化ガリウム、MOSFET