[12p-A21-1~13] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[12p-A21-4] n-GaN MOSキャパシタにおける界面電荷の温度特性

〇高島 信也¹、上野 勝典¹、江戸 雅晴¹、T.Paul Chow² (1.富士電機, 2.RPI)

キーワード：GaN、MOS、界面