[12p-A21-1~13] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [12p-A21-7] AlGaN/GaN HEMT 構造のAlGaN層内部の電子トラップ解析

〇(M1)馬場 俊之¹、永久 雄一²、川那子 高暢²、角嶋 邦之²、片岡 好則²、西山 彰²、杉井 信之²、若林 整²、筒井 一生²、名取 研二¹、岩井 洋¹ (1.東工大フロンティア研, 2.東工大総理工)

キーワード：窒化物半導体電子デバイス