[12p-A23-1~11] 13.5 デバイス／集積化技術

[12p-A23-2] 浮遊ゲート型三次元FinFETフラッシュメモリ電気特性のチャネル形状依存性

〇柳 永シュン¹、生田目 俊秀²、松川 貴¹、遠藤 和彦¹、大内 真一¹、塚田 順一¹、山内 洋美¹、石川 由紀¹、水林 亘¹、森田 行則¹、右田 真司¹、太田 裕之¹、知京 豊裕²、昌原 明植¹ (1.産総研, 2.物材研)

キーワード：フラッシュメモリ