15:00 〜 15:15
△ [12p-A23-3] 30nm世代NANDフラッシュメモリにおけるRTNの空間及び統計分布のチャネル不純物依存性
キーワード:NANDフラッシュメモリ、ランダムテレグラフノイズ、チャネル不純物濃度
一般セッション(口頭講演)
13 半導体 » 13.5 デバイス/集積化技術
2015年3月12日(木) 14:00 〜 17:30 A23 (6A-216)
15:00 〜 15:15
キーワード:NANDフラッシュメモリ、ランダムテレグラフノイズ、チャネル不純物濃度