[12p-A27-1~15] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[12p-A27-4] BおよびPをドープしたSi量子ドットの電子状態 ～不純物準位のドーパント位置依存性～

〇金田 千穂子¹ (1.富士通研)

キーワード：量子ドット、不純物、シミュレーション