[12p-A27-1~15] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[12p-A27-7] 次世代TCAD(1) 第一原理計算を用いた4H-SiC中の格子欠陥準位と形成エネルギーの評価

〇加藤 信彦¹、岡崎 一行¹、小池 秀耀¹ (1.(株)アドバンスソフト)

キーワード：4H-SiC、第一原理計算、格子欠陥