[12p-B1-1~23] 15.4 III-V族窒化物結晶

[12p-B1-15] [講演奨励賞受賞記念講演] MOVPE成長N極性(0001)InGaN多重量子井戸構造と発光ダイオードの構造・光学特性

〇正直 花奈子¹、崔 正焄¹、谷川 智之^{1, 2}、木村 健司^{1, 2}、窪谷 茂幸¹、花田 貴^{1, 2}、片山 竜二^{1, 2}、松岡 隆志^{1, 2} (1.東北大金研, 2.JST, CREST)

キーワード：窒化物半導体、InGaN、LED