[12p-B1-1~23] 15.4 III-V族窒化物結晶

[12p-B1-17] InGaN薄膜表面に形成されたピットのCLと不純物との相関

〇角谷 正友^{1, 4}、豊満 直樹^{1, 2}、王 剣宇¹、原田 善之³、Sang Liwen¹、関口 隆史¹、山口 智広²、本田 徹² (1.物材機構, 2.工学院大, 3.法政大, 4.JST-ALCA)

キーワード：InGaN薄膜成長、不純物