2015年第62回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[12p-B1-1~23] 15.4 III-V族窒化物結晶

2015年3月12日(木) 13:15 〜 19:45 B1 (6B-101)

14:30 〜 14:45

[12p-B1-5] ウェットエッチングによるサファイア表面加工基板(PSS)を用いた深紫外LED用高品質AlNテンプレートの作製

〇金沢 裕也1, 2、豊田 史朗1, 2、大島 一晟1, 2、鎌田 憲彦2、鹿嶋 行雄3、松浦 恵里子3、嶋谷 聡4、小久保 光典5、田代 貴晴5、大川 貴史5、上村 隆一郎6、長田 大和6、平山 秀樹1 (1.理化学研究所, 2.埼玉大, 3.丸文, 4.東京応化工業, 5.東芝機械, 6.アルバック)

キーワード:窒化物半導体、サファイア表面加工基板、ウエットエッチング