講演情報

Tweet

一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[12p-B1-1~23] 15.4 III-V族窒化物結晶

2015年3月12日(木) 13:15 〜 19:45 B1 (6B-101)

14:45 〜 15:00

▲ [12p-B1-6] Elimination of small-angle grain boundary in AlN grown on sapphire substrate

〇(P)RYAN BANAL¹, MASATAKA IMURA¹, YASUO KOIDE¹ (1.NIMS)

キーワード：AlN,sapphire,small-angle grain boundary